UFS 3.0读写测试数据曝光:秒杀UFS 2.1和eMMC

时间:2020-11-21   访问量:1842

深圳市昂科技术有限公司,专业的 IC 烧录器制造商,推出了 Universal Flash Storage (UFS) 专用的工程型与量产型烧录器,以及自动化烧录设备。新推出的新一代烧录器整合了 UFS 系统设计与应用,适用于研发、产品验证及工厂小批量和大批量生产需求。            2018年1月,UFS 3.0正式发布。作为UFS 2.0和2.1的迭代升级产品,UFS 3.0在性能上带来了非常显著的提升和进步。不过,目前这款闪存并没有正式商用,所以关于他的实际性能我们无从得知。

日前,网络上曝光了一张1TB UFS 3.0闪存的Androbench读写测试记录截图。

从这份记录中,我们可以明显的看到UFS 3.0的顺序读取速度达到了2279.8MB/s,顺序写入速度达到了1801.1MB/s。按照目前UFS 2.1普遍的700-800MB/s顺序读取速度来看,基本是2-3倍了。

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不过UFS 3.0的4K随读和随写的成绩和现有的UFS 2.1差别并不大,不排除还有优化空间的可能性。

根据先前的介绍,UFS(即通用闪存存储)3.0主打高性能、低功耗,它是首个引入了MIPI M-PHY HS-Gear4标准的闪存,单通道带宽高达23.2Gbps,是UFS 2.0/2.1的两倍。

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另外,UFS 3.0支持更多分区,纠错的能力升级,电压达到2.5V,并支持最新的NANG Flash介质。

2019年的主流旗舰芯片都支持UFS 3.0,目前已经确定高通骁龙855和三星Exynos 9820能够兼容这一全新的闪存规格。三星也曾表示预计将会在今年上半年推出搭载UFS 3.0闪存的机型。目前推测,三星Galaxy S10系列应该会有一款产品,采用的是UFS 3.0规格闪存,可能是顶配的S10+ 5G版本。

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先前台湾厂商群联电子(Phison)曾公布在UFS闪存上的研发进程。群联的UFS 2.1分为2代产品,吞吐量分别为800MB/s和1333MB/s,而最新的UFS 3.0的吞吐量更是高达2666MB/s,相比UFS 2.1基本是成倍增长。

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看样子,UFS 3.0的产品真正推出,可能还需要一段时间,但其实际表现应该会大幅超过现有的UFS 2.1产品,我们不妨期待一下。



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