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软件安装问题---Aprog.exe应用程序无法启动的问题
出现图示内容请进行以下操作运行Aprog.exe时出现如下图的问题时,请到 www.acroview.com  下载中心下载VCRuntime,安装VC运行环境之后再重新运行Aprog.exe即可。如果有任何疑问,请联系我们地址:深圳市南山区高新中区麻雀岭工业区M-7栋中钢大厦西三楼邮编:518057电话:+86 075526971006服务热线:13751075276销售邮箱:sales@acroview.com技术支持邮箱:support@acroview.com
发布时间: 2020 - 02 - 15
浏览次数:134
软件安装问题---安装路径问题
默认安装路径:C:\ACROVIEW
发布时间: 2020 - 02 - 15
浏览次数:51
烧录座(Adapter)命名规则
一:一拖一烧录座:XXX(zzz)-Syy       此类转接板直接安装到AP8000即可,实现一拖一离线烧录,如果是一拖一在线烧录,转接板名称为ISP(xxx)-Syy;离线烧录座解析:XXX(zzz)-Syy类型说明烧录座举例解析XXX芯片封装类型BGA180(12x12)-S021:BGA180就是芯片封装类型;2:(12x12)就是芯片封装大小3:02就是该种类型烧录座的第二种;zzz芯片尺寸大小SO8(150)-S081:SO8就是芯片封装类型;2:(150)就是芯片封装大小,比如还有210、300等3:08就是该种类型烧录座的第八种;yy区分同种芯片封装和芯片尺寸不同烧录座,以数字来命名从01开始在线烧录座解析:ISP(xxx)-Syy类型说明烧录座举例解析XXX这部分一般是指芯片的烧录接口方式,比如SPI、CAN、BDM等等ISP(BDM)-S011:ISP表示在线烧录方式;2:(BDM)芯片烧录的接口方式;3:01表示该类型的第一种烧录座;yy区分同种类型在线烧录座,满足不同芯片烧录,以数字来命名从01开始ISP(STM32)-S061:ISP表示在线烧录方式;2:(STM32)芯片烧录的类型;3:06表示该类型的第六种烧录座;注意:在线烧录座特殊说明:JTAG(C2000)-S01,“JTAG”开头的也...
发布时间: 2020 - 02 - 15
浏览次数:81
烧录器新软件AP8000_V1.04.43t2(20200213)发布
烧录器临时软件- V1.04.43t2(20200213)发布,如有需要,请前往官网(www.acroview.com)下载中心下载 适用机型:A:手动烧录器:AP8000B:自动烧录器:IPS7000、IPS5000、IPS-MINI PRO、EAP3000、EAP5000 新增支持芯片列表如下: Aprog_V1.04.43t2(20200213)IC厂商IC型号IC封装适配座型号InfineonXDPE132G5CQFN56(7x7)QFN56(7x7)-S05STM24C01-WMNS08(150)S08(150)-AG03STM24C01-RMNS08(150)S08(150)-AG03LatticeLCMXO2-7000HC-*BGA256BGA256(14x14)BGA256(14x14)-S01ToshibaTH58NYG3S0HBABGA63(9x11)BGA63(9x11)-AG01 如果有任何疑问,请联系我们地址:深圳市南山区高新中区麻雀岭工业区M-7栋中钢大厦西三楼邮编:518057电话:+86 075526971006服务热线:13751075276销售邮箱:sales@acroview.com技术支持邮箱:support@acroview.com
发布时间: 2020 - 02 - 15
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NorFlash、NandFlash、eMMC闪存的比较与区别
快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。与硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性:当它被制成储存卡时非常可靠,即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。NorFlashNOR Flash需要很长的时间进行抹写,但是它提供完整的寻址与数据总线,并允许随机存取存储器上的任何区域,这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。当时ROM芯片主要用来存储几乎不需更新的代码,例如电脑的BIOS或机上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一万到一百万次抹写循环,它同时也是早期的可移除式快闪存储媒体的基础。CompactFlash本来便是以NOR Flash为基础的,虽然它之后跳槽到成本较低的 NAND Flash。NandFlashNAND Flash是东芝在1989年的国际固态电路研讨会(ISSCC)上发表的, 要在NandFlash上面读写数据,要外部加主控和电路设计。。NAND Flash具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小,这让NA...
发布时间: 2020 - 02 - 01
浏览次数:233
NOR FLASH和NAND FLASH基本结构和特点
非易失性存储元件有很多种,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前两者已经基本被淘汰了,因此我仅关注后两者,本文对FLASH的基本存储单元结构、写操作、擦除操作和读操作的技术进行了简单介绍,对了NOR和NAND由存储结构决定的特性和应用场合的差异,对后续的硬件设计和驱动编程起到铺垫作用。1 FLASH基本存储单元---浮栅场效应管  NOR FLASH和NAND FLASH都是使用浮栅场效应管(Floating Gate FET)作为基本存储单元来存储数据的,浮栅场效应管共有4个端电极,分别是为源极(Source)、漏极(Drain)、控制栅极(Control Gate)和浮置栅极(Floating Gate),前3个端电极的作用于普通MOSFET是一样的,区别仅在于浮栅,FLASH就是利用浮栅是否存储电荷来表征数字0’和‘1’的,当向浮栅注入电荷后,D和S之间存在导电沟道,从D极读到‘0’;当浮栅中没有电荷时,D和S间没有导电沟道,从D极读到‘1’,原理示意图见图1.1[1],图1.2是一个实际浮栅场效应管的剖面图。注:SLC可以简单认为是利用浮栅是否存储电荷来表征数字0’和‘1’的,MLC则是要利用浮栅中电荷的多少来表征‘00’,‘01’,‘10’和‘11’的,TLC与MLC相同。 2 FLASH基本存储单元的操作---写/擦除/读  ...
发布时间: 2020 - 02 - 01
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