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剖析NAND Flash的编程结构
剖析NAND Flash的编程结构上一篇文章我们介绍了NAND Flash和NOR Flash的区别,从结构及原理上看,NOR Flash这种类似ROM的结构方式,使得他编程简单,所以使用的工程师也很多,要不是成本太高,NAND Flash根本无法生存。NAND Flash由于价格低廉,存储容量大,越来越受到消费者的喜爱,特别是需要存储大量数据的消费者。那NAND Flash的编程又要注意哪些呢?分区(Partition)定义分区的实质是定义数据会如何写入NAND Flash,不同内容的数据写到对应的地址中。一般用户会有多个区,比如boot、kernel、fs、user等分区。分区的描述:分区的地址范围(起始块、结束块),镜像文件大小(Image Size)。分区的数据存储:镜像文件是从分区的起始块开始存放,如果分区中有坏块,将使用坏块处理策略替换坏块,直到镜像文件结束,如果分区中不够好块存放镜像文件,则烧录失败。如下图是跳过坏块的镜像文件分区烧写示意图:备用区(OOB)的ECCECC 存在于NAND 每页的备用区(Spare Area)中,它允许外部系统发现主区的数据是否有误。在大多数情况下,ECC 算法可以纠正误码,NandFlash在使用中也可能会出现坏块,所以ECC是非常有必要的。不同的用户会可能会使用不同的ECC算法,一般来说ECC算法由处理器供应商提供,如果编程器软件中...
发布时间: 2020 - 01 - 06
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